勋章菊的繁殖方式

勋章菊常用种子繁殖，可以使用分株与扦插。

播种繁殖
春.秋天播种皆可，.微微覆土，保湿要很好，约7~10天发芽分株.插芽的周期约是4或10月份，分株是将2~3芽分为一株.於初春进行定植，插芽则接每一芽插植於排水良好的土壤中。
冬季温室育苗，4月移植露地。同属植物约24种，常见观赏栽培的还有：羽叶勋章菊(Gazania pinnata)等。
春、秋天播种皆可，微微覆土（覆土是种子直径的两倍），保湿要很好，（可参考纸巾催芽法）约7~10天发芽分株.插芽的周期约是4或10月份，分株是将2~3芽分为一株.於初春进行定植，插芽则将每一芽插植於排水良好的土壤中。
当前国内作为盆栽花卉和花坛花卉生产的品种，主要通过引进进口F1代杂交种子进行播种繁殖，以保证品种表现出一致性和高效性。此外，勋章菊还可以通过分株和扦插的方法进行繁殖。
播种育苗春育苗从播种到开花需85天左右，每平方米苗床播种量15克左右。撒播，种子上面覆盖细土0.8厘米左右。控制地温18～21℃，播下种子3天出苗。有1对真叶时移苗，用直径8厘米左右的容器，或开沟按8厘米的株行距栽下种苗。苗期控制气温15～25℃，土壤水分控制适中，要充分见光。定植前5～7天降温，加大通风，适度控水炼苗。无霜后定植露地。

种子每克400至450粒，播种介质的pH值为5.8至6.0，播种后稍覆土，育苗分四个阶段。
第一阶段：主根展出，需要4至6天，介质保持偏干，用蛭石覆盖较好，以保持适当的湿度，介质温度维持在21℃至24℃，介质EC值在0.5至0.75较为适宜，发芽不需要光照。
第二阶段：发芽基本完成，主根开始伸展，达到2厘米左右，真叶开始展出，湿度不能太大，必须在表土干燥后再稍微补充部分水分，介质温度在18℃至20℃，用以钙为基础的复合肥料（14－2－14－6Ca－3Mg）按50ppm至75ppm的浓度施肥壮苗，介质EC值为0.75至1.0，如果采用加入营养启动剂的进口泥炭育苗，则此阶段不需要施肥。此阶段易弱光，每天14至16小时的长日照有利于壮苗。
第三阶段：主根已经较为发达，长度4至5厘米，幼苗已经有一片真叶发育完全，湿度控制的干湿变化周期为24小时，这样有利于控制生长。介质温度、光照强度、介质EC值同第二阶段，每周施肥1至2次，施肥浓度可增加到100ppm至150ppm，以氮肥为主。如果采用进口泥炭育苗，此阶段也不需要施肥。同时可用2500ppm的矮壮素比久（B－9）喷施。
第四阶段：根系已充分生长，形成根团，幼苗已有3至4片真叶，该阶段的湿度、光照、施肥及EC值均不需要改变，温度调节至16℃至18℃，如有必要，可再喷一次矮壮素比久（B－9），浓度为2500ppm。

分株繁殖
在春季茎叶生长前，将越冬的母株挖出，盆栽的将母株从花盆倒出，用刀在株丛的根颈部纵向切开，分成若干丛，每丛必须带芽和根系。

扦插繁殖
室内栽培全年都可进行扦插，露地栽培的在春、秋凉爽季节进行扦插。用芽作插穗，留顶端2片叶，如叶片大，可剪去1/2，以减少叶面水分蒸发。插入沙床里，控温20～25℃，保持较高的空气湿度，一般扦插后20～25天生根。如果用1000毫克/千克吲哚丁酸药液处理1～2秒钟，能加速生根。生根后移入直径8厘米的容器中栽培。
或直接插到沙床里，控温为20℃至25℃，保持较高的空气湿度，一般扦插后20至25天生根。如果用1000毫克/千克吲哚丁酸药液浸蘸1至2秒钟，能加速生根。生根后移入直径为8至12厘米的花盆中栽培即可。